Польові транзистори

Польові транзистори (FET), або Field-Effect Transistors, — це тип транзисторів, які керуються електричним полем і використовують лише один тип носіїв заряду (електрони або дірки), на відміну від біполярних транзисторів (BJT).

Основні особливості:

1. Принцип роботи:

   • Потік струму між стоком (D) і витоком (S) контролюється напругою, прикладеною до затвора (G)
   • Затвор ізольований від основного струмового каналу, що робить FET пристроєм з високим вхідним опором

2. Типи польових транзисторів:

   • MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET):
     • N-канальні (N-channel): електрони є основними носіями заряду
     • P-канальні (P-channel): дірки є основними носіями заряду
   • JFET (Junction FET):
     • Аналогічно поділяються на N-канальні та P-канальні, але тут затвор створює P-N перехід

3. Переваги FET:

   • Високий вхідний опір, що зменшує споживання струму
   • Менший рівень шуму, порівняно з BJT
   • Простота в керуванні (достатньо напруги, а не струму)
   • Використання у схемах високої швидкодії та малопотужних пристроях

4. Недоліки:

   • MOSFET чутливі до статичної електрики (ESD).
   • У деяких випадках пропускна здатність менша, ніж у біполярних транзисторів (BJT)

5. Застосування:

   • Підсилювачі (для аудіо, ВЧ-сигналів)
   • Ключові елементи у схемах живлення
   • Інвертори та драйвери двигунів
   • Високочастотна електроніка (наприклад, радіопередавачі)
   • Цифрові мікросхеми (переважно MOSFET)

Основні частини FET:

• Затвор (Gate): керує струмом
• Сток (Drain): вихід струму
• Витік (Source): вхід струму
• Канал: провідний шлях між стоком і витоком, через який проходить струм

FET широко використовуються в сучасній електроніці завдяки їх універсальності, енергоефективності та можливості роботи в широкому діапазоні частот і напруг.