Транзистор MOSFET IRFP260N — N-канальный 200 В / 50 А в корпусе TO-247

Мощный HEXFET от International Rectifier для силовых преобразователей

Если вы ищете мощный полевой транзистор для инвертора, сварочного аппарата или лабораторного блока питания, IRFP260N — проверенная десятилетиями классика: 200 В, 50 А и низкое сопротивление канала 40 мОм в корпусе TO-247 с изолированным монтажным отверстием.

Пятое поколение HEXFET сочетает быстрое переключение с полной лавинной стойкостью (EAS 560 мДж), поэтому транзистор переживает выбросы от индуктивной нагрузки без внешних супрессоров. Встроенный обратный диод выдерживает те же 50 А. Транзисторы легко работают в параллель — типичное решение для мощных ключей и усилителей класса D.

Важно для схемотехники: это не logic-level транзистор. Полное открытие гарантируется при 10 В на затворе, поэтому для управления от микроконтроллера с логикой 3.3/5 В нужен драйвер затвора — тем более что заряд затвора 234 нКл требует заметного импульсного тока для быстрого переключения в PWM-схемах.

Особенности

• 200 В / 50 А / 40 мОм — запас для силовых схем
• Полная лавинная стойкость — держит индуктивные выбросы
• TO-247AC с изолированным отверстием под винт М3
• Простое параллеление для больших токов
• Оригинал IR (заявлено продавцом), бессвинцовое исполнение

Применение

• Инверторы и сварочные аппараты
• Лабораторные и импульсные блоки питания
• Усилители класса D и аудиотехника
• Контроллеры двигателей, мощные ключи DC

Для быстрого PWM-переключения используйте драйвер затвора с импульсным током от 1–2 А; при управлении напрямую от логики 3.3/5 В транзистор откроется лишь частично и перегреется.