|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
UCC27517DBVR SOT-23-5 — одноканальный high-speed gate driver 4 А
Low-side драйвер MOSFET/IGBT от Texas Instruments в компактном SOT-23 для высокочастотных SMPS и GaN
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | UCC27517 (симметричный 4 А/4 А) |
| Тип | Одноканальный low-side gate driver |
| Корпус | SOT-23-5 (DBV), 2.90×1.60 мм |
| VDD | 4.5…18 В (абс. макс. 20 В) |
| Пиковый ток (source/sink) | ±4 А (симметричный) |
| ROH / ROL | 5 Ом / 0.5 Ом (тип.) |
| tr / tf | 8 нс / 7 нс (тип., CL=1.8 нФ) |
| Задержка распространения | 13 нс (тип., best-in-class) |
| Входы (IN+ / IN−) | Два входа: инв./не-инв. конфигурация |
| Совместимость входов | TTL/CMOS логика (3.3 В / 5 В), независимо от VDD |
| VIH / VIL | 2.2 В / 1.2 В (тип., гистерезис 1 В) |
| Enable/Disable | Через неиспользуемый вход |
| UVLO | 4.2 В (гистерезис 300 мВ) |
| Безопасное состояние Floating | OUT Low при floating входах (внутр. pull) |
| Независимость VIN от VDD | Входы выдерживают до 20 В (не ограничены VDD) |
| IDD(off) | 75 мкА (тип., при VDD=3.4 В) |
| ESD защита | HBM ±4000 В, CDM ±1000 В |
| RθJA | 217.6 °C/Вт |
| Рабочая температура TJ | −40…+140 °C |
UCC27517DBVR от Texas Instruments — это одноканальный высокоскоростной low-side gate driver, рассчитанный на управление внешними MOSFET, IGBT и GaN-транзисторами в высокочастотных SMPS, DC/DC преобразователях, солнечных инверторах и драйверах двигателей. Микросхема обеспечивает симметричный пиковый ток ±4 А (при VDD=12 В) и самую короткую в отрасли задержку распространения всего 13 нс, что делает её идеальным выбором для разработок с минимальным искажением PWM-импульсов. Быстрые фронты tr=8 нс и tf=7 нс позволяют работу на частотах свыше 1 МГц. Главная особенность — двойная входная архитектура с IN+ и IN− пинами, что позволяет использовать одну и ту же микросхему как в инвертирующей, так и в неинвертирующей конфигурации, а неиспользуемый вход применять как enable/disable вход. Входные пороги TTL/CMOS-совместимы с фиксированными уровнями VIH=2.2 В и VIL=1.2 В независимо от VDD — это позволяет управлять микросхемой напрямую от 3.3 В или 5 В MCU/PWM-контроллера, даже если сама микросхема работает на VDD=12 В или 18 В. Широкий гистерезис 1 В обеспечивает устойчивость к помехам. Максимальное напряжение на входах не ограничено VDD и может достигать 20 В, что повышает робастность в помеховых средах. Гибридный выходной каскад из N-MOS и P-MOS транзисторов параллельно обеспечивает максимальный пиковый ток именно во время Miller plateau, когда MOSFET переключается. Встроенный UVLO с порогом 4.2 В и резисторы pull-up/pull-down на входах обеспечивают безопасное состояние Low на выходе при подаче питания, выключении и floating входах — критически важно для безопасной работы силовых каскадов. Миниатюрный корпус SOT-23-5 делает микросхему идеальной для размещения прямо возле каждого MOSFET в многоканальных силовых каскадах.
Области применения
- Импульсные источники питания (SMPS)
- DC/DC преобразователи высокой частоты
- Драйверы для цифровых контроллеров питания
- Солнечные инверторы, управление двигателями, UPS
- Драйверы для перспективных wide band-gap транзисторов (GaN, SiC)
- Синхронные выпрямители
- Аудиоусилители класса D
Особенности
- Пиковый ток ±4 А (симметричный source/sink)
- Best-in-class 13 нс задержка распространения
- Быстрые фронты tr=8 нс / tf=7 нс
- Широкий диапазон VDD 4.5…18 В (вкл. работу <5 В для GaN)
- Двойной вход IN+ / IN− — инв./не-инв. в одной микросхеме
- Enable/disable через неиспользуемый вход
- TTL/CMOS входы (3.3 В/5 В MCU) независимо от VDD
- Широкий гистерезис 1 В для помехоустойчивости
- OUT held Low при UVLO и floating входах (безопасный старт)
- Входы не ограничены VDD — выдерживают до 20 В
- Гибридный N+P MOS pullup для пикового тока на Miller plateau
- Расширенный диапазон TJ −40…+140 °C
- ESD HBM ±4000 В — высокая устойчивость
- Миниатюрный SOT-23-5 (2.9×1.6 мм)